Pabrikasi BJT

Pabrikasi BJT dapat dilakukan dengan dua teknik, yaitu struktur transistor-alloy melalui
difusi dan struktur transistor planar. Gambar 9.2-a menunjukkan struktur transistoralloy
n-p-n. Kolektor terbuat dari chip semikonduktor tipe-n dengan ketebalan kurang
dari 1 mm2. Daerah basis dibuat dengan proses difusi kemudian dibuat kontak logam
untuk dihubungkan dengan kaki basis. Daerah emitor dibuat dengan teknik alloy pada
daerah basis. Sebagai hasilnya berupa sebuah pasangan sambungan p-n yang
dipisahkan oleh daerah basis kira-kira setebal kertas.
Untuk struktur planar (gambar 9.2-b), suatu lapisan tipe-n dengan tingkat doping
rendah ditumbuhkan di atas substrat n+ (tanda + menunjukkan tingkat doping sangat
tinggi). Setelah melalui proses oksidasi pada permukaan, sebuah jendela (window)
dibuka dengan proses penggerusan (etching) dan suatu pengotor (p) dimasukkan ke
kristal dengan proses difusi untuk membentuk sambungan (junction). Sekali lagi
setelah melalui reoksidasi, sebuah jendela kecil dibuka untuk proses difusi pembentukan
daerah emitor (n).

Gambar 9.2 Trasisstor sambungan bipolar (BJT) jenis n-p-n.
Secara konvensional simbol transistor n-p-n diperlihatkan pada gambar 9.2-c
dilengkapi dengan tanda panah pada emitor yang menunjukkan aliran muatan positif.
Walaupun sebuah transistor n-p-n akan bekerja dengan kedua daerah n dapat berfungsi
sebagai emitor, namun karena kedua daerah mempunyai tingkat doping dan geometri
yang berbeda, maka daerah n yang dimaksud harus diberi label.