Pengoperasian Transistor

Pada gambar 9.3-a diperlihatkan keping horizontal transistor jenis n-p-n. Pengoperasian
transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi potensial pada
sambungan (gambar 9.3-b). Sambungan emitor berpanjar maju, dengan efek dari
tegangan panjar EB V terjadi penurunan tegangan penghalang pada sambungan emitor
dan memberi kesempatan pada elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah
ini miskin elektron (minoritas).
Sambungan kolektor berpanjar mundur; sebagai efek dari pemasangan tegangan
panjar CB V akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. Karena
daerah basis sangat tipis, hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke
kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang “disediakan”
dengan pemasangan baterai luar. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh baterai
eksternal, meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi).
Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian
kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. Seperti
akan kita lihat, transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang
besar untuk mendapatkan penguatan tegangan.


Gambar 9.3 Pengoperasian transistor jenis n-p-n

Gambar 9.4 Skema pergerakan pembawa muatan pada pengoperasian transistor n-p-n.