Dasar Pengoperasian BJT

Pada bab sebelumnya telah dibahas dasar pengoperasian BJT, utamannya untuk kasus
saat sambungan kolektor-basis berpanjar mundur dan sambungan emitor-basis berpanjar
maju. Arus emitor sebagai fungsi dari tegangan emitor-basis sebagai

untuk transistor n-p-n, dimana

 pada temperatur ruang.
Io berasal dari pembawa muatan hasil generasi termal, sehingga secara kuat
merupakan fungsi temperatur, dan harganya hampir berlipat dua untuk setiap kenaikan
10oC. Harga o I sangat bervariasi dari satu transistor ke transistor yang lain walaupun
untuk tipe dan pabrik yang sama.
Hampir seluruh arus emiter berdifusi ke daerah basis dan menghasilkan arus
kolektor, dimana harganya lebih besar dari arus basis. Kita menuliskan

dimana b merupakan parameter transistor terpenting kedua, dan disebut sebagai
penguatan arus (current gain ā€“ sering dinyatakan dengan simbul fe h atau FE h untuk
kasus tertentu).
Harga b juga sangat bervariasi dari satu transistor ke transistor lain walaupun
untuk tipe yang sama. Untuk transistor tipe 2N3055 (biasanya digunakan untuk arus
besar), FE h untuk arus 4 amper dapat berharga dari 20 ā€“ 70. Harga FE h mengalami
perubahan terhadap harga arus kolektor, naik dari 32 pada 10 mA ke maksimum 62
pada arus 3 A, dan selanjutnya jatuh ke harga 15 untuk arus 10 A.
Untuk transistor tipe LM394C (biasa digunakan untuk arus rendah), FE h untuk
arus 1 mA berubah dari 225 ke harga lebih dari 500. Harga FE h dapat naik dari 390
pada arus 1 mA ke harga 800 pada arus 10 mA.

Gambar 10.1 Transistor dengan Konvigurasi Basis Bersama