Updates from Agustus, 2012 Toggle Comment Threads | Pintasan Keyboard

  • tituitcom 15.31 on 18 August 2012 Permalink  

    Pemasangan Panjar Umpan-Balik Emitor 

    Teknik yang banyak digunakan untuk memberikan panjar dengan umpan-balik
    diperlihatkan pada gambar 11.7. Pada rangkaian ini panjar tetap akan memberikan
    “arus basis” yang akan selanjutnya akan menentukan besarnya arus emitor. Masukan
    harus dipasang kapasitor dengan basis untuk menjaga gangguan kondisi panjar.

    Gambar 11.7 Rangkaian panjar umpan-balik emitor
     
    i) Arus Basis Diabaikan
    Jika arus basis dapat diabaikan kita mempunyai

    dan karena

    Selanjutnya kita dapat menghitung besarnya arus emitor sebesar

    Jika masukan diharapkan mempunyai efek yang maksimum, maka pada emitor
    hampir tidak ada tegangan AC- dan hanya ada di basis. Kapasitor E C memastikan
    kondisi tersebut, namun kapasitor harus berharga sangat besar. Perhatikan rangkaian
    tertutup i E v , C, B – E, C untuk melihat kenapa digunakan E C .
    Agar kita dapat mengabaikan harga arus basis pada perhitungan di atas, arus
    pada pembagi potensial harus relatif besar. Ini dimungkinkan karena arus emitor tidak
    terlalu tergantung pada besarnya b dari transistor, tetapi kita mengharapkan arus AC
    masukan terbuang karena harga 1 2 R , R terlalu rendah.

    ii) Tanpa Mengabaikan Arus BasisJika arus basis tidak dapat diabaikan, perhitungan besarnya arus emitor sedikit lebih
    panjang. Langkah pertama adalah dengan menggantikan pembagi potensial pada
    gambar 11.7 dengan sebuah rangkaian ekivalen terdiri dari sebuah sumber tegangan BB V
    dan sebuah resistor tunggal B R (ingat teorema Thevenin), masing-masing berharga

    Terdapat penurunan tegangan pada B R yaitu B B I R dan pada E R sebesar

    Dengan menggunakan hukum Kirchhoff tentang tegangan, pada rangkaian tertutup yang
    melibatkan BB B BE E V , R , V , dan R , diperoleh

    sehingga

    Kita juga mempunyai persamaan lain sebagai:

    Perhatikan bahwa pada persamaan di atas terdapat C V bukan CE V . Jika pada emitor
    terdapat resistor seperti rangkaian ini, maka kita harus memodifikasi garis bebannya.

    Perhatikan bahwa kedua arus terakhir di atas adalah sama dengan

    Kita mempunyai

    Dua parameter pada persamaan 11.12 yang bervariasi antara transistor satu dengan
    lainnya adalah dan b BE V . BE V biasanya berharga sekitar 0,2 V, sehingga pembilang
    BB BE V -V sedikit tergantung pada jenis transistor jika

    b biasanya berharga paling tidak = 25, sehingga penyebut pada persamaan 11.12 tidak
    tergantung pada jenis transistor jika

    Kita tidak perlu menginagt-ingat persamaan di atas, namun dua langkah yang perlu
    diingat adalah:
    i) Gantikan rangkaian pembagi potensial dengan rangkaian yang lebih
    sederhana.
    ii) Gunakan analisa rangkaian dengan hukum Kirchhoff tentang tegangan pada
    loop basis-emitor.

    Metode perhitungan lain adalah dengan menggunakan pendekatan perhitungan
    B1 V untuk B V dan mengabaikan arus basis. Dari sini kita dapatkan pendekatan harga
    E E B V , I dan I . Selanjutnya didapat pendekatan yang lebih baik untuk B V sebagai

    Jika digunakan dua pencatu daya, rangkaian di atas dapat disederhanakan seperti terlihat
    pada gambar 11.7. Di sini masukan tidak perlu dipasang kapasitor, dan masukan akan
    berubah-ubah terhadap tanah (ground).

    Gambar 11.8 Penyederhanaan rangkaian dengan menggunakan pendekatan

     
  • tituitcom 15.03 on 18 August 2012 Permalink  

    Pemasangan Panjar Umpan-Balik Kolektor 

    Gambar 11.6 memperlihatkan rangkaian untuk memperoleh panjar umpan-balik
    kolektor. Jika terjadi kenaikan C I , maka akan terjadi penurunan CE V , sehingga arus
    basis akan menjadi

    yang akan melawan kenaikan C I . Rangkaian ini tidak dapat menetapkan C I dengan
    baik, tetapi paling tidak dapat menjamin bahwa CE V akan berada pada harga paling
    tidak 1 volt- atau kemungkinan lain , arus basis akan sangat kecil dan CE V akan
    berharga sangat tinggi, tentu ini suatu yang kontradiksi.
     
  • tituitcom 14.57 on 18 August 2012 Permalink  

    Keadaan Panjar 

    Sejauh ini perlu dipertanyakan, seberapa besar arus kolektor yang diperlukan?
    Jawabannya tergantung pada CC V dan L R . Terdapat berbagai cara untuk
    menentukannya, asalkan sejauh ini mereka kita anggap berharga tetap. Tegangan
    keluaran CE v untuk suatu harga arus kolektor C I pada rangkaian gambar 11.4 diberikan
    oleh

    dimana ini akan berupa garis lurus jika diplot dengan CE v sebagai sumbu-x dan C i
    sebagai sumbu-y. Garis lurus ini menghubungkan dua titik, yaitu di titik perpotongan
    pada sumbu CE v (dimana = 0 C i ) di CE CC v =V , dan di titik perpotongan pada sumbu C i
    (dimana = 0 CE v ) di C CC L i =V / R . Garus lurus ini biasa disebut sebagai “garis beban”.
    Sebagai contoh pada gambar 11.2 telah disertakan garis beban dengan parameter

    C CC i , v harus memenuhi kondisi yang dituntut transistor, misalnya pada gambar 11.2,
    Jika B I sebesar 5 mA maka harga C CC i , v berada pada perpotongan karakteristik
    transistor dan di atas garis beban, katakan pada

    Hal yang sama untuk arus basis 5,6 mA akan memberikan titik seperti ditandai pada
    gambar 11.2, yaitu

    Harga di atas merupakan harga DC yang cocok untuk pengoperasian transistor. Titik
    ini biasa disebut sebagai titik tenang (quiescent point) Q.
    Saat terjadi perubahan B i (atau BE v ), harga C i atau CE v akan naik ke atas atau
    turun di bawah garis beban, memperlihatkan adanya perubahan keluaran. Nilai DC arus
    dan tegangan yang ditunjukkan oleh titik Q mempunyai beberapa keterbatasan. Pada
    gambar 11.5 diperlihatkan karakteristik keluaran beserta garis beban suatu transistor
    daya-medium.


    Gambar 11.5 Karakteristik keluaran transistor beserta garis beban

    Jika transistor tidak mengalami kerusakan, terdapat beberapa keterbatasan yang
    harus dipenuhi untuk

    Jika keluaran mempunyai bentuk sama dengan masukan, kita harus memperhatikan
    karakteristik pada daerah pengoperasian ini (kira-kira berada pada titik tengah tengah
    garis beban). Kita harus menghindarkan pengoperasian di kedua ujung garis beban
    karena:
    i) Pada CE v yang rendah bentuk karakteristik akan berubah secara drastis.
    ii) Pada C i yang rendah akan membuat transistor mati.
    Karenanya kita dapat menarik garis beban seperti terlihat pada gambar 11.5,
    menghindari persyaratan untuk V, I, P dan panjar penguat seperti telah dituntut di atas.
    Kita dapat menandai pengoperasian dengan titik lingkaran seperti terlihat pada gambar,
    yaitu dengan menghindari terlalu dekat dengan Vce=0 atau Ic=0 .

    Gambar 11.6 Rangkaian panjar umpan-balik kolektror

     
  • tituitcom 21.43 on 17 August 2012 Permalink  

    Panjar Tetap 

    Dengan memperhatikan pentingnya panjar dan persyaratan yang harus dipenuhi, dapat
    dibuat rangkaian yang paling sederhana seperti terlihat pada gambar 11.4. Resistor
    panjar dilewati arus sebesar

    Karena biasanya

    maka kita dapat membuat pendekatan

    dengan demikian B I hampir-hampir tidak tergantung pada jenis transistor.
    Isyarat AC praktis tidak mengalami perubahan pada saat dilewatkan kapasitor
    (jika kapasitasnya cukup besar). Sebagian arus AC akan hilang pada resistor panjar,
    namun sebagian besar digunakan untuk mengubah arus basis di sekitar harga DC B I .
    Untuk transistor dengan suatu harga b , teknik pemasangan panjar ini sangat
    tepat karena mengingat arus kolektor

    dan dapat diatur sesuai yang dikehendaki. Sayangnya transistor yang digunakan dapat
    memiliki b yang bervariasi.
     
  • tituitcom 21.38 on 17 August 2012 Permalink  

    Pentingnya Tegangan Panjar 

    Pada bab sebelumnya kita telah melihat bahwa arus kolektor C i dapat dikontrol oleh
    arus basis B i yang relatif kecil atau dengan mengubah sedikit tegangan basis-emitor
    BE v . Karenanya, transistor mempunyai kemungkinan untuk digunakan sebagai
    penguatan arus, tegangan atau daya dari suatu masukan. Namun perlu diperhatikan
    bahwa bentuk keluaran harus sama dengan bentuk isyarat masukan. Syarat ini tidak
    mudah untuk dipenuhi.
    Kenyataan di atas adalah benar walaupun masukan hanya berupa isyarat yang
    sangat sederhana misalnya berupa fungsi sinus yang berosilasi secara sama di atas dan
    di bawah harga 0 volt. Sebagai ilustrasi diperlihatkan pada gambar 11.1-a, yaitu dengan
    mengenakan isyarat tersebut pada masukan transistor. Sayangnya, sampai dengan
    masukan berharga + 0,6 volt, arus kolektor masih relatif kecil. Saat masukan telah
    melebihi harga tegangan ini, arus kolektor membesar dengan cepat, naik sebesar e =
    2,718 kali setiap ada kenaikan 25 mV kenaikan masukan (ingant pers. eksponensial).
    Besarnya arus agar masukan berada sedikit di atas tingkat kritis diperlihatkan
    pada gambar 11.1-b. Besarnya tegangan keluaran diberikan oleh

    Ini ditunjukkan pada gambar 11.1-c, bahwa keluaran identik dengan masukan.

    Gambar 11.1 Rangkaian transistor: a) Isyarat masukan diberikan, b) Bentuk isyarat
    arus keluaran dan c) Isyarat keluaran.

    Gambar 11.2 Karakteristik keluaran transistor
    Kita kembali pada tipe karakteristik keluaran transistor seperti terlihat pada
    gambar 11.2, dimana kita telah mengikutkan nilai BE v untuk setiap kurva karakteristik.
    Dari kurva-kurva yang didapat terlihat bahwa seharusnya transistor diberi panjar ( BE v )
    sebesar 637 mV. Dengan demikian untuk masukan yang berosilasi ± 10 mV akan
    memberikan perubahan arus kolektor yang cukup besar.

    Gambar 11.3 Rangkaian transistor dengan memperlihatkan BE v .

    Rangkaian yang lebih jelas diperlihatkan pada gambar 11.3. Sayangnya,
    rangkaian ini sangat tidak praktis dengan alasan:
    i) Masukan mungkin mempunyai terminal yang dihubungakan ke 0 volt.
    ii) Agak sulit untuk memdapatkan tegangan panjar dekat dengan harga 637 mV.
    iii) Suatu harga BE V mungkin cocok untuk suatu transistor tetapi mungkin
    transistor lain akan memerlukan harga yang sangat berbeda, walaupun dari
    jenis dan merk yang sama.

    Untuk mengatasi permasalahan di atas dapat dilakukan dengan memberikan
    pemecahan melalui dua tahap:
    i) Rencanakan suatu rangkaian DC yang dapat mengatur besarnya arus
    kolektor untuk isyarat masukan 0 volt.
    ii) Pasang kapasitor yang dapat menghubungkan isyarat masukan; kapasitor ini
    tidak akan mengganggu keadaan DC, tetapi dapat melewatkan isyarat AC
    dengan baik.

    Gambar 11.4 Rangkaian transistor dengan panjar tetap.

     
  • tituitcom 03.19 on 17 August 2012 Permalink  

    Karakteristik Masukan, Transfer-Arus Dan Perjanjian Simbol 

    Karakteristik Masukan
    Karakteristik transistor lain yang perlu diketahui adalah karakteristik masukan, yaitu
    hubungan eksponensial I-V pada sambungan emitor-basis. Karakteristik masukan pada
    konfigurasi basis bersama adalah hubungan antara BE v dengan E i , sedangkan pada
    konfigurasi emitor-bersama adalah hubungan antara BE v dengan B i .

     Karakteristik Transfer-Arus
    Karakteristik transfer-arus berupa plot C i terhadap B i untuk suatu harga CE v tertentu.
    Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik keluaran. Kemiringan dari kurva
    yang diperoleh secara langsung akan memberikan harga b dari hubungan

     Perjanjian Simbol
    Saat berbicara tentang transistor sebagai penguat, kita akan melihat campuran isyarat
    DC dan AC, sehingga diperlukan perjanjian untuk memberikan tanda untuk
    membedakan kedua isyarat tersebut. Kita menggunakan tanda yang sudah baku,
    misalkan kita mengambil contoh

    Mungkin kita memiliki

    di sini be V = amplitudo harga AC

     
  • tituitcom 03.08 on 17 August 2012 Permalink  

    Konfigurasi Emitor-Bersama (Common-Emitter Configuration) 

    Konfigurasi emitor-bersama seperti diperlihatkan pada gambar 10.3 lebih sering
    digunakan sebagai penguat arus. Sesuai dengan namanya emitor dipakai bersama
    sebagai terminal masukan maupun keluaran. Arus input dalam konfigurasi ini adalah
    iB , dan arus emitor , karenanya besarnya arus kolektor adalah

    atau

    Untuk menyederhanakan persamaan 10.3 kita telah mendifinisikan “nisbah transferarus”
    sebagai

    dan kita dapat mencatat besarnya arus cutoff kolektor sebagai

    Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor) dalam bentuk
    arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah

     
    Gambar 10.4 Karakteristik transistor n-p-n untuk konfigurasi emitor-bersama

    Bentuk karakteristik emitor-bersama diperlihatkan pada gambar 10.4. besarnya
    arus masukan B i relatif kecil untuk tegangan kolektor-emitor lebih besar 1 V, dan
    harganya tergantung pada besarnya tegangan sambungan emitor-basis. Untuk BJT
    silikon misalnya, untuk tegangan panjar maju sekitar 0,7 V akan memberikan B i yang
    cukup besar.
    Pada gambar 10.4-b nampak bahwa sesuai dengan persamaan 10.6, untuk
    = 0 B i , arus C i berharga relatif kecil dan hampir konstan pada harga CEO I . Setiap ada
    kenaikan arus B i , akan diikuti kenaikan arus C i sebesar B b i . Untuk

     , jelas sedikit perubahan pada ib akan
    memberikan kenaikan C i yang sangat besar. Sedikit kenaikan pada a akan
    menghasilkan perubahan yang lebih besar pada b , dan efek dari CE v pada konfigurasi
    ini akan lebih nampak dibandingkan pada konfigurasi basis-bersama (lihat juga gambar
    10.2-c).
    Dengan uraian di atas dapat dibuat catatan penting untuk konfigurasi emitorbersama.
    Arus kolektor C i merupakan fungsi B i dan CE v , sehingga untuk
    menggambarkan karakteristik hubungan ketiganya dapat dilakukan dengan
    menggambar kurva seperti terlihat pada gambar 10.4-c. Ini merupakaan tipikal
    “karakteristik keluaran” dari transistor daya rendah dengan ciri dasar sebagai berikut:

    Arus kolektor hampir sama dengan arus emitor (untuk > 1 CE v volt), sehingga
    berlaku hubungan eksponensial

    Jika 1 2 , BE BE v v memberikan arus 1 2 , C C i i maka kita mempunyai

    Dengan demikian kita memberikan indikasi masukan tegangan BE v (dari pada arus
    masukan B i ) yang diperlukan oleh setiap kurva karakteristik jika kita mengetahui BE v .
    Untuk suatu transistor dapat berharga sebagai berikut:


    Gambar 10.5 Karakteristik keluaran konfigurasi emitor-bersama

    Kurva karakteristik hubungan C i , B i dan CE v untuk suatu harga BE v , dari
    transistor di atas adalah seperti diperlihatkan pada gambar 10.5. Perlu dicatat bahwa
    besarnya C i naik secara linier dengan adanya kenaikan B i (ditunjukkan oleh jarak yang
    sama antar kurva), namun perubahan C i terhadap BE v jauh dari kondisi linier (tentu saja
    mempunyai hubungan eksponensial).
    Gambar 10.6 memberikan karakteristik hubungan C i , B i dan CE v untuk
    transistor yang lain lagi, yang memberikan gambaran efek dari pemberian tegangan
    yang tinggi. Gambar 10.7 memberikan detail dari kurva pada gambar 10.5 untuk
    tegangan yang rendah.

    Gambar 10.6 Karakteristik konfigurasi emitor-bersama dengan CE v tinggi.

    Gambar 10.7 Karakteristik konfigurasi emitor-bersama dengan CE v rendah.

    Contoh
    Sebuah transistor silikon n-p-n memiliki

      terangkai seperti
    pada gambar di bawah. Perkirakan besarnya C E CE i , i dan v . Perhatikan bahwa pada
    penggambaran rangkaian elektronika, sumber tegangan (baterai) biasanya dihilangkan,
    diasumsikan bahwa terminal +10V (dalam kasus soal ini) dihubungkan dengan tanah.

    Jawab
    Pada transistor ini

    dan besarnya arus cutoff kolektor adalah

    Besarnya arus kolektor adalah

    Seperti telah diharapkan untuk transistor silikon, CEO I merupakan bagian yang sangat
    kecil dari C i . Besarnya arus emitor adalah

    Tegangan kolektor-emitor sebesar

    Karena

     maka sambungan kolektor-basis (np)
    berpanjar mundur seperti yang diperlukan.

     
  • tituitcom 02.44 on 17 August 2012 Permalink  

    Konfigurasi Basis-Bersama (Common-Base Configuration) 

    Rangkaian transistor seperti pada gambar 10.1 disebut konfigurasi basis bersama karena
    basis digunakan untuk terminal masukan maupun keluaran. Karakteristik i-v BJT
    dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari pemahaman kita tentang diode dan
    pengoperasian transistor.
    Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar maju, maka
    karakteristik masukan rangkaian ini (gambar 10.2-b) mirip dengan karakteristik diode
    (gambar 10.2-a). Terlihat bahwa efek dari tegangan kolektor-basis CB v cukup kecil.
    Dengan CB v berharga positif dan emitor hubung terbuka, = 0 E i volt dan bagian basiskolektor
    pada dasarnya berpanjar mundur. ( CB v berharga negatif akan membuat
    sambungan kolektor-basis berpanjar maju dan akan mengalir iC berharga negatif).
    Untuk E C CBO i = 0, i @ I (lihat gambar 10.2-c), karakteristik kolektor mirip dengan
    karakteristik diode gambar 10.2-a pada kuadran tiga. Untuk = -5 E i mA, arus kolektor
    meningkat sebesar

     (lihat persamaan 3.2) dan menampakkan bentuk
    kurva. Karena faktor a selalu lebih kecil dari satu , maka secara praktis
    konfigurasi basis-bersama tidak baik sebagai penguat arus.

    Gambar 10.2 Karakteristik transistor n-p-n untuk konfigurasi basis-bersama

    Gambar 10.3 Transistor dalam konfigurasi emitor-bersama

     
  • tituitcom 02.31 on 17 August 2012 Permalink  

    Dasar Pengoperasian BJT 

    Pada bab sebelumnya telah dibahas dasar pengoperasian BJT, utamannya untuk kasus
    saat sambungan kolektor-basis berpanjar mundur dan sambungan emitor-basis berpanjar
    maju. Arus emitor sebagai fungsi dari tegangan emitor-basis sebagai

    untuk transistor n-p-n, dimana

     pada temperatur ruang.
    Io berasal dari pembawa muatan hasil generasi termal, sehingga secara kuat
    merupakan fungsi temperatur, dan harganya hampir berlipat dua untuk setiap kenaikan
    10oC. Harga o I sangat bervariasi dari satu transistor ke transistor yang lain walaupun
    untuk tipe dan pabrik yang sama.
    Hampir seluruh arus emiter berdifusi ke daerah basis dan menghasilkan arus
    kolektor, dimana harganya lebih besar dari arus basis. Kita menuliskan

    dimana b merupakan parameter transistor terpenting kedua, dan disebut sebagai
    penguatan arus (current gain – sering dinyatakan dengan simbul fe h atau FE h untuk
    kasus tertentu).
    Harga b juga sangat bervariasi dari satu transistor ke transistor lain walaupun
    untuk tipe yang sama. Untuk transistor tipe 2N3055 (biasanya digunakan untuk arus
    besar), FE h untuk arus 4 amper dapat berharga dari 20 – 70. Harga FE h mengalami
    perubahan terhadap harga arus kolektor, naik dari 32 pada 10 mA ke maksimum 62
    pada arus 3 A, dan selanjutnya jatuh ke harga 15 untuk arus 10 A.
    Untuk transistor tipe LM394C (biasa digunakan untuk arus rendah), FE h untuk
    arus 1 mA berubah dari 225 ke harga lebih dari 500. Harga FE h dapat naik dari 390
    pada arus 1 mA ke harga 800 pada arus 10 mA.

    Gambar 10.1 Transistor dengan Konvigurasi Basis Bersama
     
  • tituitcom 01.56 on 17 August 2012 Permalink  

    Karakteristik DC 

    Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran pembawa muatan
    melewati sambungan dan ke basis. Dengan sambungan emitor berpanjar maju dan
    sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut operasi normal, pengoperasian di
    daerah aktif), gerakan pembawa muatan pada transistor n-p-n seperti diskemakan pada
    gambar 9.4.
    Komponen terbesar dari arus emitor E i terdiri atas elektron yang mengalir
    melewati penurunan tegangan potensial ( o EB V -V ) ke sambungan emitor-basis.
    Efisiensi emitor (g) berharga mendekati satu sehingga arus hampir terdiri atas semua
    elektron yang terinjeksi dari emitor. Komponen lain adalah aliran lubang dari basis
    yang juga difasilitasi oleh penurunan tegangan penghalang tersebut. Daerah basis
    memiliki tingkat doping yang lebih rendah dibandingkan daerah emitor, sehingga arus
    lubang relatif lebih rendah. Kedua jenis muatan mengalir melalui proses difusi.
    Elektron yang “terinjeksi” dari emitor ke basis dapat mengalir melalui
    sambungan emitor-basis secara bebas karena beberapa sebab
    i) tidak ada tegangan yang melawannya,
    ii) hanya terdapat jarak yang pendek pada daerah basis (tipis) dan
    iii) hanya terdapat jumlah lubang yang relatif rendah sehingga tidak banyak
    elektron yang tertangkap lubang dan hilang, yaitu dengan proses
    rekombinasi.

    Dengan proses pabrikasi transistor yang benar, kurang lebih 99 – 99,9% elektron
    yang terinjeksi berhasil mencapai sambungan basis-kolektor (faktor a biasanya
    berharga sekitar 0,98). Elektron tersebut tidak mengalami kesulitan akibat penurunan
    tegangan penghalang.

    Arus elektron E a i mendominasi besarnya arus kolektor. Komponen lain dari
    arus kolektor berupa arus drift melewati sambungan kolektor-basis dari pembawa
    muatan minoritas hasil generasi termal. Jika kita memasang tegaangan EB v pada
    sambungan emitor-basis, kita menginjeksi arus yang diberikan oleh persamaan arus
    diode

    dimana Vt= 25 mV pada temperatur ruang. CBO I adalah penulisan yang benar namunbiasanya lebih sering ditulis sebagai o I . Fuge factor (h) untuk transistor biasanya tidak
    diperlukan. Tanda negatif hanya untuk memenuhi perjanjian konvensional, tidak perlu
    terlalu dirisaukan. Harga arus E i sangat tergantung pada tegangan EB v .
    Sebagian besar elektron mencapai kolektor atau
    terlihat sebagai arus basis

     yaitu

    b disebut penguatan arus (current gain), dimana harganya akan sangat bervariasi dari
    satu transistor ke yang lain walaupun mempunyai seri dan tipe yang sama. b d apat
    berharga serendah 20 dan dapat berharga setinggi 2000, namun biasanya berharga
    sekitar 100-200.

    Gambar 9.5 Konfigurasi emitor bersama

    Untuk rangkaian transistor seperti terlihat pada gambar 9.5, kita melihat bahwa
    EB v mengontrol arus emitor

      tetapi hanya mencatu arus basis B i yang relatif
    rendah. Karena terminal emitor dipakai bersama oleh EB v dan CE v , maka ragkaian
    tersebut disebut konfigurasi emitor-bersama (common-emitter configuration).
    Besarnya arus kolektor sepenuhnya tergantung pada tegangan kolektor,
    sepanjang sambungan kolektor-basis berpaanjar mundur. Karenanya arus C i dapat
    ditempatkan pada resistor L R menghasilkan tegangan C L i R yang dapat berharga
    beberapa volt. Transistor dapat difungsikan untuk penguat arus, tengangan dan daya.
    Ini akan kita lihat lebih lanjut pada bagian selanjutnya.
    Hubungan antara C i dan EB v dapat diukur dengan mudah sama seperti halnya
    hubungan antara E i dan EB v . Gambar 9.6 menunjukkan plot C i dan EB v untuk dua tipe
    transistor yang relatif murah dalam skala semilogaritmik (linier-logaritma). Nampak
    bahwa kedua transistor menunjukkan karakteristik eksponensial.
    Perlu diperhatikan bahwa EB v adalah tegangan dari emitor ke basis, yaitu

    hal yang sama untuk BE v adalah tegangan dari basis ke emitor


    Gambar 9.6 Hubungan antara C i dan EB v untuk transistor jenis 2N3053 dan BC 107
    dalam skala semilogaritmik.
    Pada bab ini telah kita pelajari karakteristik dasar transistor, setidaknya beberapa
    hal penting berikut ini pperlu untuk diingat:

     
c
Compose new post
j
Next post/Next comment
k
Previous post/Previous comment
r
Balas
e
Sunting
o
Show/Hide comments
t
Pergi ke atas
l
Go to login
h
Show/Hide help
shift + esc
Batal